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Produktinformationen

  • Herstellerbezeichnung: 2SB1116AL-G-T92-K
  • Details: EPITAXIAL SILICON
  • Kollektor-Emitter-Spannung: -60 V
  • Kollektor-Base-Spannung: -80 V
  • Emitter-Base-Spannung: -6 V
  • Kollektorstrom: -1 A
  • Ausgangskapazität: 25 pF
  • Bandbreite: 120 MHz
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 0,75 W
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
  • Klassifikation: 200 - 400
Eigenschaften "2SB1116 TO92 TRANSISTOR PNP THT | Unisonic Technologies"
Gehäuse: TO92
Montageart: THT
Datenblatt
2SB1116

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