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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: -250 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
  • Dunkelstrom: -5 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 30 W
  • Betriebstemperatur: 150 °C
Eigenschaften "2SJ512 TO220 ISOLIERT P-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: TO220 ISOLIERT
Montageart: THT
Datenblatt
2SJ512

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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