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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 800 V
  • Gate-Source-Spannung: +/-30 V
  • Drainstrom: 2 A
  • Gate Fehlerstrom: +/-1 µA
  • max Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 W
  • Eingangskapazität: 350 pF
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 4,8 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK2128 TO220 N-CHANNEL MOSFET THT | MATSUSHITA-PANASONIC"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
2SK2128

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Hersteller "MATSUSHITA-PANASONIC"

Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:

MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid

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