Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 200 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drainstrom: 9,5 A
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 75 W
- Ausgangskapazität: 85 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,4 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "BUZ32 TO220 N-CHANNEL MOSFET THT | Siemens"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Siemens"
Siemens Aktiengesellschaft
Werner-von-Siemens-Straße 1
80333 München
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