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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: -55 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
  • Drain-Strom: -74 A
  • Drain-Strom (pulsierend): -260 A
  • Avalanche-Strom (sich wiederholend): -38 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25°C: 200 W
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,02 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 175°C
Eigenschaften "IRF4905PBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT | Infineon"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
IRF4905PBF

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Hersteller "Infineon"
Infineon Technologies AG

Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg

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