Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 200 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drain-Strom: 5 A
- Drain-Strom (pulsierend): 20 A
- Avalanche-Strom (sich wiederholend): -
- Verlustleistung @ Tc = 25°C: 40 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,5 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150°C
Eigenschaften "IRF620 TO220 N-CHANNEL POWER MOSFET THT | Harris Semiconductor"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Harris Semiconductor"
Harris Corporation
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid
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