Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 500 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drain-Strom: 2,5 A
- Drain-Strom (pulsierend): 8 A
- Avalanche-Strom (sich wiederholend): 2,5 A
- Verlustleistung @ Tc = 25°C: 50 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 3 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150°C
Eigenschaften "IRF820PBF TO220 N-CHANNEL POWER MOSFET THT | Vishay"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Vishay"
Vishay Semiconductor GmbH
Theresienstraße 2
74072 Heilbronn
Theresienstraße 2
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