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Produktinformationen

  • Drain-Source-Durchbruchspannung: -100 V
  • Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 0,3 Ohm
  • Drainstrom: -12 A
  • Verlustleistung @Tc=25 °C: 88 W
  • Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
  • Einschalt-Verzögerungszeit: 12 nS
  • Eingangskapazität: 860 pF
  • Ausgangskapazität: 340 pF
Eigenschaften "IRF9530PBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT | Vishay"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
IRF9530PBF

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Hersteller "Vishay"
Vishay Semiconductor GmbH

Theresienstraße 2
74072 Heilbronn

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