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Produktinformationen

  • Kollektor-Base-Spannung: 50V
  • Kollektor-Emitter-Spannung: 25 V
  • Ermitter-Base-Spannung: 5 V
  • IC max. Kollektorstrom: 50 mA
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 250 mW
  • Betriebstemperatur: -55 - 125 °C
Eigenschaften "KSC838 TO92 TRANSISTOR NPN THT | SAMSUNG"
Gehäuse: TO92
Montageart: THT
Datenblatt
KSC838

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Hersteller "SAMSUNG"
Samsung Semiconductor Europe GmbH

Einsteinstraße 174
81677 München

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